BLF6G10LS-135R datasheet
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>> BLF6G10LS-135R 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G10LS-135R
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
32 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Tube
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链接
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供应商
公司名
电话
深圳市亚泰盈科电子有限公司
15338868823
郑小姐
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129911934(手机优先微信同号)
史仙雁
深圳市深科创科技有限公司
0755-83247290
吴先生/吴小姐/朱先生
深圳市世锐科技有限公司
13724335556
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深圳市新良宇电子有限公司
0755-83237632
李先生
北京京北通宇电子元件有限公司
17862669251
洪宝宇
BLF6G10LS-135R 参考价格
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